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        手机续航2周 IBM三星开发VTFET芯片技术:性能提升200%

        2021-12-13 11:38:04来源:快科技 阅读量:25522

        分享:
        导读:IBM、三星等公司上半年公布了全球首个2nm工艺芯片,现在双方又在IEDM 2021会议上宣布了最新的合作成果,推出了VTFET(垂直传输场效应晶体管)技术。
          目前半导体工艺已经发展到了5nm,明年三星台积电都在抢3nm工艺首发,之后还会有2nm工艺,再之后的1nm节点又是个分水岭了,需要全新的半导体技术。
         
          IBM、三星等公司上半年公布了全球首个2nm工艺芯片,现在双方又在IEDM 2021会议上宣布了新的合作成果,推出了VTFET(垂直传输场效应晶体管)技术,它与传统晶体管的电流水平方向传输不同,是垂直方向传输的,有望进军1nm及以下工艺。
         
          根据IBM及三星的说法,VTFET技术有2个优点,一个是可以绕过现在技术的诸多性能限制,进一步扩展摩尔定律,另一个就是性能大幅提升,采用VTFET技术的芯片速度可提升两倍,或者降低85%的功耗。
         
          这个技术要是量产了,那么芯片的能效比是大幅提升的,智能手机充电一次可使用两周,不过三星及IBM依然没有公布VTFET工艺的量产时间,所以还是要等——反正革命性的电池及革命性的芯片技术实现一个就能让手机续航质变。
         
          (原标题:手机续航2周 IBM三星开发VTFET芯片技术:性能提升200%)

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